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UCC21732-Q1
2019-09-26
UCC21732-Q1
适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和 CMTI 的汽车单通道隔离式栅极驱动器
描述
UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
特性
单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
高峰值驱动电流和高 CMTI
有源米勒钳位
RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
小传播延迟和脉冲/器件间偏移
工作温度范围为 –40°C 至 125°C
安全相关认证（计划）：
符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPKVIORM 增强型隔离
符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS隔离
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