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ADRF5019
2019-09-26
概览
非反射 50 Ω 设计
低插入损耗：8 GHz 时为 0.8 dB
高隔离：8 GHz 时为 45 dB
高输入线性度
P1dB：39 dBm
IP3：60 dBm（典型值）
高功率处理能力
35 dBm 插入损耗路径
27 dBm 热切换
ESD 额定值：2 kV（2 级）HBM
无低频杂散信号
0.05 dB 射频建立时间：375 ns
0.1 dB 射频建立时间：300 ns
16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP
引脚与 HMC1118 兼容，低频截止版本
ADRF5019 是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷 (SPDT) RF 开关。
ADRF5019 的工作频率范围为 100 MHz 至 13 GHz，在 8 GHz 时具有优于 0.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5019 采用非反射设计，其 RF 端口在内部终接至 50 Ω。
ADRF5019 开关需要 +3.3 V 和 −2.5 V 的双电源电压，以及正控制电压输入。此开关采用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容型和低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容型控制。
ADRF5019 还可使用单个正电源电压 (VDD) 工作。负电源电压 (VSS) 连接至地。即使在单电源工作模式下，ADRF5019 也能覆盖 100 MHz 至 13 GHz 的工作频率范围，并保持良好的功率处理性能。更多详细信息请参见“Applications Information”部分。
ADRF5019 的引脚与 HMC1118 兼容，后者是低截止频率版本，可在 9 kHz 至 13.0 GHz 的频率范围内工作。
ADRF5019 采用 16 引脚引线框架芯片规模封装 (LFCSP)，可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
测试仪表
微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
光纤和宽带电信
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